鲁圣国
,
李标荣
,
麦炽良
,
黄健洪
无机材料学报
对近年来有关铁电纳米粉体、纳米复合材料、以及纳米陶瓷的制备,结构和性能进行了介绍.对由于粒子尺寸减小引起的结构和性能的改变及其相关机理进行了讨论.透明铁电纳米复合材料可望在光学存储、光学计算等光学器件中得到应用.而纳米陶瓷由于介电特性、耐电压、抗老化、机械强度等性能的提高,因而可以广泛用于改进现有电容器材料的性能,获得性能更加优良的器件.
关键词:
铁电体
,
nanopowder
,
nanoceramic
,
nanocomposite
,
size effect
,
dielectric properties
,
photoluminescence spectrum
岳振星
,
王晓莉
,
张良莹
,
姚熹
无机材料学报
分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结PZN基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系．结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响,LiF助烧剂因引起晶格氧空位促进两相固溶化，而MgF2和硼硅玻璃助烧的PZN复相陶瓷可保持两相共存．以硼硅玻璃为助烧剂获得了低温烧结、具有X7R温度稳定特性的PZN基复相陶瓷．
关键词:
饴锌酸铅
,
null
,
null
,
null
赵海洋
,
王为民
,
傅正义
,
王皓
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00099
用热压工艺制备了AlN-BN复合陶瓷材料, 研究了不同含量CaF2烧结助剂对致密化、介电和热导性能的影响. 研究表明: CaF2添加剂可促进材料致密化, 净化材料晶界, 优化材料的综合性能. 热压1850℃保温3h可获得高致密度的烧结体, 添加3wt%～4wt%的CaF2, 可获得98.53%～98.54%的相对密度. 制备的AlN-BN复合材料其介电常数在7.29～7.60之间, 介电损耗值最小为6.28×10-4, 添加3wt%的CaF2获得的热导率为10W·m-1·K-1.
关键词:
AlN-BN
,
dielectric properties
,
thermal conductivity
,
ceramic composites
张有凤
,
周玉
,
贾德昌
,
孟庆昌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01189
采用热压烧结法制备了Al2O3/LiTaO3 (ALT) 陶瓷复合材料, 研究了Al2O3不同体积含量(5vol%、10vol%、15vol%和20vol%)对LiTaO3压电陶瓷介电性能的影响. 结果表明：随着频率的增加, 不同Al2O3含量的ALT陶瓷复合材料的介电常数和介电损耗均降低, 但降低的幅度不同. 少量Al2O3(5vol%)的添加既能增大材料的介电常数同时又降低了材料的介电损耗, 但是随着Al2O3含量的继续增加, ALT陶瓷复合材料的介电常数和介电损耗都增大, 其居里温度先升高后降低. Al2O3作为第二相不但能促进LiTaO3陶瓷烧结致密，而且对ALT陶瓷复合材料的介电性能也有提高.
关键词:
LiTaO3
,
Al2O3
,
dielectric property
,
composite ceramics
王升
,
周晓华
,
张树人
,
李波
,
陈祝
无机材料学报
提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺. 采用溶胶-凝胶法在500～800℃下合成复合氧化物掺杂剂, 此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料, 该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的, 具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电容器陶瓷材料. 本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时间等工艺参数对陶瓷介电性能和微结构的影响. 研究表明, 在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超细瓷料的掺杂改性. 在500～800℃内, 复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTZ系陶瓷的居里点、介质损耗和介电常数最大值的降低.对陶瓷烧结工艺的研究表明, 采用此新工艺可获得符合Y5V标准的BCTZ系抗还原介质陶瓷, 其室温相对介电常数不小于18000, 介质损耗低于0.7%, 绝缘电阻率达到1012Ω·cm, 居里点在5～20℃之间可调, 平均晶粒尺寸GAV小于4μm. 该新工艺可望用于大容量Y5V镍内电极多层陶瓷电容器的生产.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
BCTZ ceramics
,
complex oxide dopants
,
sol-gel
,
dielectric properties
,
annealing
喻佑华
,
冯楚德
,
杨毅
,
李承恩
,
晏海学
无机材料学报
综合运用 ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＳ和介电测量等方法，考察了一步预煅烧法和二步预煅烧法等前驱体制备途径对Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）－Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＭＮ）二元系铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响．研究结果表明，对（１－Ｘ）ＰＦＮ－ＸＰＭＮ二元系而言，在所考查的组成范围内（Ｘ＝０～０.５）；其居里温度与ＰＭＮ的含量近似成线性关系，且随Ｘ的增加，居里温度向低温方向移动.峰值介电常数随Ｘ的增加而降低．（预）煅烧和烧结条件对显微结构和介电性能都有不可忽视的影响．对用一步预煅烧法和二步预煅烧法得到的样品的介电性能和其他性能进行了比较，并对其差异产生的可能机制进行了讨论．
关键词:
铌铁酸铅
,
PMN
,
precursor
,
binary system
,
microstructure
,
dielectric property
崔斌
,
田长生
,
史启祯
无机材料学报
研究了制备纯钙钛矿相0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3(缩写为PMNT)陶瓷的半化学法新工艺.详细讨论了除Nb2O5外,其它反应物以其非氧化物形态分别代替PbO、MgO和TiO2,以及PbTiO3或同成分的0.80PMN-0.20PT等钙钛矿相子晶对PMNT预烧粉体中钙钛矿相含量的影响;探讨了烧结温度对半化学法制备的PMNT陶瓷介电性能的影响,并对PMNT陶瓷的相组成、显微组织及介电性能进行了表征和测定.结果表明:提高镁组分的反应活性对提高预烧粉体中钙钛矿相含量的效果较好,同时以钛酸四丁酯取代TiO2的效果最好;半化学法工艺简单,能在850℃/2h预烧条件下制得几乎纯钙钛矿相的PMNT粉体,经过较低的烧结温度(950℃/2h)可制得致密的、介电性能优异的PMNT陶瓷.
关键词:
半化学法
,
relaxor ferroelectrics
,
perovskite phase
,
dielectric properties
赵永林
,
杜丕一
,
翁文剑
,
韩高荣
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00466
用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜, 对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究. 结果表明, 该薄膜以钙钛矿形式存在. 快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量. 这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势. 随着Pb2+离子增加和Sr2+离子减少, 钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高. 薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时, 可以获得较大的可调性.
关键词:
PST薄膜
,
dielectric properties
,
sol-gel method
,
phase formation
廖家轩
,
魏雄邦
,
潘笑风
,
张佳
,
傅向军
,
王洪全
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1007.2009.00962
用溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了三种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3, BST)薄膜：常规的四层薄膜, 在逐层制备过程中，对首层薄膜进行中间热处理(Preheat-treatment, PT)的四层薄膜及间隔或交替地对奇数层薄膜进行中间热处理（称为交替中间热处理(Alternate-preheat-treatment, APT)）的八层薄膜. 用XPS研究薄膜表面成分化学态, 用SEM和AFM观察表面形貌及晶化, 并进行了介电性能测试. 结果表明, 常规薄膜介电性能差; 经PT, 薄膜裂纹和缩孔显著减少，形貌明显改善，表面非钙钛矿结构显著减少, 介电性能明显提高; 经APT, 薄膜形貌进一步改善，平均晶粒大小约30nm，非钙钛矿结构进一步减少, 介电损耗明显降低，介电稳定性和介电强度大幅度提高. APT为制备退火温度低及结构均匀致密的纳米晶BST薄膜提供了新方法, 可满足低频实用要求. 退火温度对薄膜厚度的影响也进行了讨论.
关键词:
中间热处理
,
alternate-preheat-treatment
,
barium strontium titanate film
,
dielectric properties
